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      陶氏電子材料研發(fā)中心落戶首爾
      發(fā)布時間:2012-03-31

      作者:張秀鳳     文章來源:中國化工報     更新時間:2012-03-29

        中化新網(wǎng)訊     3月21日,陶氏化學公司投資亞洲的又一重要舉措——陶氏電子材料全球研發(fā)中心在韓國首爾正式落成。該中心旨在推動顯示器和半導體相關應用領域的技術研發(fā)和進步,建立半導體、顯示器和發(fā)光二極管(LED)先進生產基地。


         該研發(fā)中心坐落于韓國的京畿道華城市,占地2.37萬平方米。據(jù)介紹,該中心計劃聘用300余名科研人員從事光刻機、有機發(fā)光二極管(OLED)、顯示材料、高級芯片封裝等重點領域技術研發(fā)。包括該研發(fā)中心在內,陶氏近十年在韓國投資已超過4億美元。

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